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Case Study

斜め研磨 マスク研磨 異材質同時研磨 超精密研磨

IC半導体の内部分析事例

目的

・電極保護層までのベアウエハの回路や誘電膜及び集積回路部などの評価。
・各層や配線及び界面部の観察・分析を行う。

断面カットの課題
・断面出し研磨では点と線の様相で立体的なイメージが出しにくい。
・断面出し研磨に技能が必要で作業が難しい。

IC半導体ポリッシング断面 x5,000
SEM写真


 

PERET斜め研磨実施

投射面積の半分をマスクして斜め研磨した。

[研磨条件] 粒子多角アルミナ1.2μm
標準投射力
加工時間10min
[中央深さ] 約4µm
[参考表面粗さ] 回路の材質差に依存

観察
・大画面内に回路積層状態が視覚化されている。
・回路等の材質差が浮彫状になっており詳細で明確な分析が期待できる。

PERET研磨痕写真

SEM観察と評価

 内部と表面部の比較写真

 

青枠部と赤枠部をそれぞれ拡大観察

① 配線部拡大 x2,000

配線部拡大 x2,000

・左から右に深くなっていく。
・回路の変化の様相が見える。
・より拡大分析ができる

② 回路直部拡大 x2,000

回路直部拡大

・左から右に深くなっていく。
・回路直上部の変化の様相が見える。

 

回路直部の黄色枠部をさらに拡大 X10,000

回路上部再拡大 x10,000

・左から右に深くなっていく。
・倍率を上げると材質差の浮彫様相が良く判る。
・界面などの分析が可能。

 

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